A Intel está fazendo um movimento ousado que marca seu retorno ao mercado de memórias pela primeira vez desde a década de 1980. Em uma parceria com a Saimemory, subsidiária do SoftBank japonês, a gigante dos processadores anunciou o desenvolvimento da Z-Angle Memory – Memória ZAM para para Data Centers de IA. Uma nova tecnologia de memória empilhada verticalmente projetada para competir diretamente com a High Bandwidth Memory usada nos mais modernos data centers de inteligência artificial ao redor do mundo.
de P&D NGDB da Intel (Imagem cedida pela Intel )
A movimentação acontece em um momento crítico para a indústria da tecnologia. Com a expansão acelerada da infraestrutura de IA atingindo seu pico em 2025 e 2026, a demanda por DRAM cresceu de forma exponencial, levando a aumentos significativos nos preços e criando gargalos severos na cadeia de suprimentos global. A situação ficou tão crítica que empresas como a Micron decidiram encerrar a linha de produtos Crucial para consumidores finais e concentrar recursos na produção para o segmento corporativo de alto valor.
O que é a Z-Angle Memory e Como Funciona?
A tecnologia ZAM foi projetada para oferecer números impressionantes que prometem transformar o mercado de memórias de alta performance. Segundo informações divulgadas pelo jornal japonês Nikkei, a nova memória foi desenvolvida para entregar de duas a três vezes a capacidade da HBM atual, operando com até metade do consumo de energia e sendo até 60% mais barata de produzir em escala industrial.
Enquanto a HBM atual é reconhecidamente mais rápida e oferece largura de banda excepcional, ela também é cara, gera muito calor durante a operação intensiva e possui capacidade limitada em comparação com o que os data centers de IA modernos necessitam. A ZAM promete resolver essa equação complicada através de uma abordagem radicalmente diferente de empilhamento e interconexão dos chips de memória.
O segredo por trás dessa tecnologia está na forma como os chips são empilhados e conectados entre si. A Saimemory tentará atingir essas metas ambiciosas empilhando verticalmente mais chips DRAM do que é possível atualmente e utilizando a tecnologia proprietária Embedded Multi-Die Interconnect Bridge da Intel, conhecida pela sigla EMIB, para reduzir a latência entre os chips individuais na pilha.
A tecnologia EMIB funciona como uma ponte de interconexão embutida que permite uma comunicação de alta velocidade entre múltiplos dies de silício sem a necessidade de um substrato intermediário complexo e caro. Essa abordagem reduz significativamente a distância que os sinais elétricos precisam percorrer, diminuindo tanto a latência quanto o consumo de energia associado à comunicação entre os chips.
Além disso, a ZAM utilizará uma abordagem conhecida como interconexão em ângulo Z, que roteia as conexões diagonalmente dentro da pilha de chips em vez de diretamente para baixo, como fazem as tecnologias convencionais. Com essa abordagem angular, a Intel consegue utilizar uma porção significativa maior da área de silício para células de memória reais, permitindo densidades mais altas e menor resistência térmica durante a operação.
A tecnologia também deverá empregar uma ligação híbrida cobre-cobre entre as camadas, que possibilita uma fusão intercamadas mais eficiente e cria um bloco de silício quase monolítico em vez de camadas claramente separadas. Essa fusão mais eficiente resulta em uma melhor condução térmica e elétrica através de toda a pilha de memória.
Especula-se ainda que a ZAM terá um design sem capacitores tradicionais, com a tecnologia EMIB da Intel sendo usada para conectar a memória diretamente ao chip de IA ou processador, eliminando componentes intermediários que adicionam latência e consomem energia desnecessariamente.
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A Base Científica: O Programa NGDB do Departamento de Energia
A tecnologia ZAM não surgiu do nada. Ela foi desenvolvida com base no trabalho fundamental que a Intel realizou como parte do programa de pesquisa e desenvolvimento de Tecnologia Avançada de Memória, gerenciado pelo Departamento de Energia dos Estados Unidos e pela Administração Nacional de Segurança Nuclear por meio do Laboratório Nacional de Sandia, uma das principais instituições de pesquisa científica do país.
Os pesquisadores envolvidos no programa reconheceram que a HBM possui uma largura de banda verdadeiramente impressionante, mas alcança esse desempenho em troca de menor capacidade total e eficiência energética comprometida. O objetivo do programa era desenvolver técnicas que permitissem obter todos os benefícios da HBM sem essas desvantagens tradicionais que limitam sua aplicação em determinados cenários.
A iniciativa Next Generation DRAM Bonding da Intel demonstrou uma nova arquitetura de memória e uma metodologia de montagem revolucionária que aumenta significativamente o desempenho da DRAM, reduz o consumo de energia e otimiza os custos de memória, explicou o Dr. Joshua Fryman, Intel Fellow e diretor de tecnologia da Intel Government Technologies, divisão da empresa focada em projetos governamentais e de defesa.
As arquiteturas de memória padrão não atendem às necessidades de IA, então o NGDB definiu uma abordagem totalmente nova para nos impulsionar na próxima década, acrescentou Fryman em comunicado oficial da empresa, destacando a importância estratégica do projeto para o futuro da computação de alta performance.
No desenvolvimento do NGDB para ZAM, a Intel e o Laboratório Nacional de Sandia tiveram que projetar uma nova abordagem de empilhamento e uma maneira diferente de organizar fisicamente os chips de DRAM dentro da pilha. Os primeiros protótipos confirmaram que era possível aumentar a capacidade total por meio de novas técnicas de empilhamento, enquanto os desenvolvimentos mais recentes demonstraram que o alto desempenho necessário para aplicações de IA já está disponível e funcional.
É por isso que a Intel e seus parceiros agora podem avançar com confiança para o desenvolvimento dos primeiros protótipos reais de memória Z-Angle que serão testados em ambientes de produção real.
Gwen Voskuilen, membro principal da equipe técnica do Laboratório Nacional de Sandia, comentou sobre o potencial transformador da tecnologia: Esta é uma tecnologia empolgante que prevemos que levará a uma adoção mais ampla de memórias de alta largura de banda em sistemas que atualmente não conseguem aproveitar a memória de alta largura de banda devido à sua capacidade limitada e restrições de energia.
O Retorno da Intel ao Mercado de Memórias
O anúncio marca um momento histórico para a Intel. Esta não é a primeira vez que a empresa investe no segmento de DRAM. O time azul, como a empresa é conhecida por sua marca visual, teve um negócio dedicado a memórias nas décadas de 1970 e início dos anos 1980, mas acabou saindo completamente do mercado em 1985 devido à queda acentuada na participação de mercado após a forte concorrência de fornecedores japoneses que dominaram a indústria naquela época.
A ironia histórica não passa despercebida: agora, décadas depois, a Intel está retornando ao mercado de memórias justamente em parceria com uma empresa japonesa, o SoftBank, em uma tentativa de recolocar o Japão de volta na liderança da cadeia de suprimentos de semicondutores críticos.
O Japão foi uma importante região produtora de memórias na década de 1980, com empresas como Toshiba, Hitachi e NEC dominando o mercado global de DRAM. No entanto, a ascensão da indústria de semicondutores coreana e taiwanesa nas décadas de 1990 e 2000 fez com que o país perdesse relevância progressivamente, sendo substituído por gigantes como Samsung, SK Hynix e Micron.
Hoje, o mercado de memórias de alta performance é dominado por apenas três grandes fabricantes: a sul-coreana Samsung, a também sul-coreana SK Hynix e a americana Micron. Essa concentração extrema cria vulnerabilidades na cadeia de suprimentos global e limita a capacidade de resposta da indústria quando a demanda dispara, como aconteceu com o boom da inteligência artificial.
Enquanto o mundo luta por mais memória de alta capacidade e alto desempenho, tanto o SoftBank quanto a Intel veem uma clara oportunidade de mercado para fornecer uma alternativa competitiva que quebre esse oligopólio e traga mais opções para os construtores de data centers.
A Estratégia de Longo Prazo e o Cronograma de Desenvolvimento
Este projeto não visa simplesmente disponibilizar a produção de memórias padrão como DDR5 ou HBM convencional da noite para o dia. Ele busca ir além do que está atualmente disponível para os construtores de data centers, com o objetivo explícito de fornecer o que eles possam precisar no futuro próximo, quando os modelos de IA forem tão grandes e complexos que a HBM atual não conseguirá suportar economicamente.
Não espere ver a ZAM em servidores comerciais rapidamente. O projeto é claramente uma aposta de longo prazo com horizontes ambiciosos. A Saimemory planeja produzir seu primeiro protótipo funcional de ZAM em algum momento de 2027, com planos de desenvolver uma linha de produção em massa completa para a nova memória até 2029.
Esse cronograma de quatro anos pode parecer longo, mas é na verdade bastante agressivo considerando a complexidade técnica envolvida e a necessidade de validar completamente a tecnologia antes de investir bilhões de dólares em instalações de fabricação em escala industrial. O desenvolvimento de uma nova arquitetura de memória desde a concepção inicial até a produção em massa normalmente leva de cinco a sete anos.
O objetivo estratégico é posicionar a ZAM para atender à demanda futura da inteligência artificial, especialmente quando os modelos de linguagem e outros sistemas de IA alcançarem tamanhos que tornam a HBM atual proibitivamente cara ou tecnicamente inadequada. Com o crescimento exponencial dos modelos de IA nos últimos anos, essa previsão não parece nada irrealista.
O Ecossistema de Parceiros e o Contexto Geopolítico
Outras empresas já estão apoiando ativamente o projeto, demonstrando seu impacto potencial e interesse muito além dos parceiros iniciais. Empresas adicionais que cooperam no projeto, desenvolvimento e fabricação da ZAM incluem a Fujitsu, tradicional empresa japonesa de hardware e serviços de TI; a PowerChip Semiconductor Manufacturing, recentemente adquirida pela gigante americana Micron; a Shinko Electric Industries, especializada em materiais para semicondutores; e a prestigiosa Universidade de Tóquio, que contribui com pesquisa fundamental.
As diversas instituições japonesas envolvidas no projeto destacam a importância estratégica deste empreendimento para o SoftBank e para o governo japonês como um todo. Em seu comunicado oficial, a empresa afirmou: O desenvolvimento de tecnologias de memória de última geração pela Saimemory representa uma das principais iniciativas do SoftBank para apoiar a infraestrutura social de próxima geração.
Ao colaborar com a Intel e outros parceiros tecnológicos e instituições de pesquisa no Japão e no exterior, o SoftBank contribuirá para a criação de tecnologias de semicondutores avançadas e desenvolvidas internamente, bem como para o fortalecimento da competitividade global do Japão, acrescentou a empresa, deixando clara a dimensão geopolítica do projeto.
Além de potencialmente reconstruir o Japão como um ator-chave na indústria de memória depois de décadas de declínio relativo, o SoftBank parece enxergar tecnologias-chave, como a memória de próxima geração, como um componente essencial para construir aspectos do futuro que vão muito além do hardware em si.
Da mesma forma que o acesso à memória, ao silício e aos materiais de terras raras é cada vez mais considerado um recurso importante para a defesa estratégica nacional, pode-se argumentar que eles também são fundamentais para o desenvolvimento dos componentes necessários para a mudança social e econômica nas próximas décadas, bem como para as parcerias internacionais que a viabilizarão.
As Vantagens Técnicas Prometidas em Comparação com a HBM
Embora os números específicos sobre os ganhos efetivos da ZAM em comparação com a HBM ainda não tenham sido totalmente divulgados publicamente, a abordagem de interconexão em ângulo Z proporciona à memória benefícios teóricos claros em várias áreas críticas de desempenho.
Primeiro, há a questão da eficiência energética. Estima-se que a ZAM oferecerá um consumo de energia de 40% a 50% menor em comparação com soluções HBM equivalentes. Isso é alcançado através da redução das distâncias que os sinais elétricos precisam percorrer e da eliminação de componentes intermediários que desperdiçam energia sem contribuir para a funcionalidade central da memória.
Em data centers de grande escala, onde milhares de servidores operam continuamente, uma redução de 40% a 50% no consumo de energia da memória pode se traduzir em economias operacionais de milhões de dólares por ano, além de reduzir significativamente a pegada de carbono das operações de computação em nuvem e treinamento de modelos de IA.
Segundo, há a questão da capacidade de armazenamento. A abordagem Z-Angle permite maior densidade de células de memória por unidade de área de silício, possibilitando em última análise o empilhamento de camadas mais altas sem problemas térmicos ou de integridade de sinal. Especula-se que a ZAM poderá alcançar até 512 gigabytes por chip individual, um número verdadeiramente impressionante que multiplicaria por várias vezes a capacidade disponível em módulos HBM atuais.
Terceiro, há a simplificação do processo de fabricação. As interconexões em ângulo Z, embora conceitualmente mais complexas, na verdade permitem um processo de montagem mais eficiente do que as abordagens convencionais de empilhamento vertical direto. Isso se traduz em menores custos de produção e maior rendimento de fabricação, reduzindo o número de unidades defeituosas que precisam ser descartadas.
Quarto, há a questão da resistência térmica. O design da ZAM promete melhor dissipação de calor através de toda a pilha de memória, permitindo operação sustentada em cargas de trabalho intensivas sem throttling térmico, que é quando o sistema precisa reduzir o desempenho para evitar superaquecimento.
A Crise de Fornecimento de Memórias
A decisão da Intel e do SoftBank de investir pesadamente no desenvolvimento da ZAM precisa ser entendida no contexto da crise atual no mercado de memórias de alta performance. Dado que os fornecedores de memória são extremamente limitados em todo o mundo, com apenas três grandes fabricantes controlando essencialmente todo o mercado, o gargalo na cadeia de suprimentos é imenso no momento.
A situação piorou significativamente com a explosão da demanda por hardware de IA em 2024 e 2025. Empresas de tecnologia de todos os tamanhos estão correndo para construir ou expandir data centers dedicados ao treinamento de modelos de linguagem, processamento de imagens, análise de vídeo e outras aplicações de inteligência artificial que exigem quantidades massivas de memória de alta velocidade.
O resultado foi um aumento vertiginoso nos preços de memórias, especialmente HBM, que chegou a ter aumentos de preço superiores a 100% em alguns momentos de 2025. Empresas que dependem dessas memórias para seus produtos e serviços enfrentaram custos crescentes e dificuldades para garantir fornecimento suficiente para atender seus próprios cronogramas de produção.
A Micron, uma das três grandes fabricantes de memória, chegou ao ponto de encerrar completamente sua linha de produtos Crucial voltada para consumidores finais, concentrando todos os seus recursos de fabricação na produção de memórias de alto valor para o segmento corporativo e de data centers, onde as margens de lucro são muito maiores.
Essa decisão deixou o mercado de consumo com ainda menos opções e contribuiu para aumentos de preço também nos segmentos de memórias para computadores pessoais e laptops, criando um efeito cascata que afeta toda a indústria de tecnologia.
O Desafio de Conquistar Clientes Importantes
Uma maneira crucial de garantir o sucesso da ZAM será convencer líderes da indústria como a Nvidia a integrar a tecnologia em suas próximas gerações de GPUs e aceleradores de IA. A Nvidia atualmente domina o mercado de hardware de IA com suas GPUs da série H100 e H200, todas equipadas com memória HBM fornecida pela Samsung e SK Hynix.
Felizmente para a Intel, as duas empresas já possuem parcerias existentes em outras áreas que poderiam ser intensificadas para incluir a adoção da ZAM. A Intel fornece processadores para muitos dos mesmos data centers que utilizam GPUs Nvidia, e há uma história de colaboração técnica entre as empresas, apesar de também serem concorrentes em alguns segmentos.
Além da Nvidia, outros alvos óbvios para a ZAM incluem as próprias divisões de produtos da Intel, especialmente seus aceleradores de IA Gaudi e futuros processadores Xeon otimizados para cargas de trabalho de aprendizado de máquina. Adotar a ZAM em seus próprios produtos seria uma demonstração poderosa de confiança na tecnologia e ajudaria a estabelecer um mercado inicial enquanto outros fabricantes avaliam a nova memória.
Empresas de nuvem como Amazon Web Services, Microsoft Azure e Google Cloud também seriam clientes importantes, já que todas estão investindo pesadamente em infraestrutura de IA e buscam ativamente formas de reduzir custos operacionais e melhorar eficiência energética em seus data centers globais.
As Vantagens Adicionais da Propriedade da Tecnologia
A colaboração do SoftBank com a Intel na ZAM permite que a empresa japonesa também seja proprietária da pilha de memória completa, o que pode proporcionar vantagens estratégicas significativas. A tecnologia poderá estrear com os ASICs personalizados da própria empresa, como a linha Izanagi de chips especializados, dando ao SoftBank maior controle sobre o layout arquitetônico completo de seus sistemas.
Essa propriedade vertical da tecnologia, desde o design do chip de processamento até a memória que o alimenta, permite otimizações que seriam impossíveis quando diferentes componentes vêm de fornecedores separados que não coordenam estreitamente seus desenvolvimentos. O SoftBank pode projetar seus processadores especificamente para tirar máximo proveito das características únicas da ZAM.
Além disso, ter uma fonte própria de memória de alta performance reduz a dependência estratégica de fornecedores externos que podem priorizar outros clientes ou aumentar preços quando a demanda está alta. Essa independência é particularmente valiosa em um momento de tensões geopolíticas crescentes e preocupações sobre segurança na cadeia de suprimentos de tecnologias críticas.
Os Riscos e Desafios do Projeto
Apesar de todas as promessas, o projeto ZAM enfrenta desafios significativos que não devem ser subestimados. Desenvolver uma nova arquitetura de memória e levá-la do laboratório para a produção em massa é um empreendimento extremamente complexo e arriscado que já derrotou muitas empresas bem-financiadas no passado.
Primeiro, há o desafio técnico puro de fazer a tecnologia funcionar conforme prometido em escala de produção. Protótipos de laboratório frequentemente demonstram características impressionantes que se mostram difíceis ou impossíveis de replicar quando a fabricação é expandida para milhões de unidades. Problemas de rendimento de fabricação, onde uma porcentagem alta de chips produzidos apresenta defeitos, podem tornar a produção economicamente inviável mesmo que a tecnologia funcione perfeitamente em tese.
Segundo, há o desafio de construir a infraestrutura de fabricação necessária. Fábricas de semicondutores modernas custam dezenas de bilhões de dólares para construir e equipar. A Intel e o SoftBank precisarão fazer investimentos massivos em instalações de produção dedicadas à ZAM se quiserem alcançar volumes significativos até 2029.
Terceiro, há o desafio de convencer o mercado a adotar uma nova tecnologia. A HBM já está estabelecida, com ecossistemas maduros de ferramentas de design, processos de fabricação comprovados e engenheiros treinados em trabalhar com ela. Mudar para ZAM exigirá que fabricantes de chips e construtores de sistemas redesenhem produtos, retreinem equipes e assumam riscos de adoção precoce.
Quarto, há a questão do timing. Se a ZAM chegar ao mercado em 2029 conforme planejado, ela estará competindo contra a quinta ou sexta geração de HBM, que também terá evoluído significativamente. As vantagens da ZAM precisarão ser substanciais o suficiente para justificar a mudança mesmo quando comparadas com versões futuras melhoradas da HBM.
O Impacto Potencial no Mercado de IA
Se a ZAM cumprir suas promessas, o impacto no mercado de inteligência artificial e computação de alta performance poderá ser transformador. A capacidade de ter dois a três vezes mais memória por chip, com metade do consumo de energia e custos significativamente menores, poderia viabilizar novos tipos de sistemas de IA que são atualmente impraticáveis.
Modelos de linguagem poderiam crescer para tamanhos que oferecem capacidades qualitativamente diferentes das gerações atuais. Sistemas de IA multimodal que processam simultaneamente texto, imagens, vídeo e áudio poderiam operar com latências muito menores. Aplicações de IA em tempo real, como direção autônoma ou análise médica instantânea, poderiam se beneficiar da combinação de alta capacidade e baixa latência.
Além disso, a redução no consumo de energia teria implicações ambientais significativas. O treinamento de grandes modelos de IA atualmente consome quantidades enormes de eletricidade, gerando preocupações sobre a pegada de carbono da indústria. Uma redução de 40% a 50% no consumo de energia das memórias, que são um dos componentes mais famintos por energia em sistemas de IA, poderia tornar o desenvolvimento de IA significativamente mais sustentável.
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Sobre o Futuro da Memória de Alta Performance
A parceria entre Intel e SoftBank para desenvolver a Z-Angle Memory representa uma aposta ousada no futuro da computação de alta performance. O projeto combina experiência técnica de classe mundial, recursos financeiros substanciais e motivação estratégica tanto corporativa quanto geopolítica para quebrar o oligopólio atual no mercado de memórias de alta performance.
O sucesso do projeto dependerá de executar flawlessly em múltiplas dimensões: resolver os desafios técnicos restantes, construir a infraestrutura de fabricação necessária, conquistar clientes importantes e trazer a tecnologia ao mercado dentro do cronograma planejado e com as características de desempenho prometidas.
Para a Intel, o projeto representa uma oportunidade de adicionar uma nova linha de negócios de alto valor e retornar ao mercado de memórias depois de décadas de ausência. Para o SoftBank e o Japão, representa uma chance de recuperar liderança em uma indústria estrategicamente crítica que o país perdeu para competidores asiáticos nas últimas décadas.
Para a indústria de IA e computação em nuvem como um todo, o projeto oferece a promessa de mais opções, preços potencialmente menores e tecnologias de memória que podem viabilizar a próxima geração de avanços em inteligência artificial.
Os próximos anos revelarão se essas promessas se tornarão realidade. Com os primeiros protótipos planejados para 2027, não teremos que esperar muito para ver se a Z-Angle Memory realmente consegue desafiar o domínio da HBM e transformar o mercado de memórias de alta performance conforme prometido.
Se você trabalha com desenvolvimento de sistemas de IA ou opera data centers, vale acompanhar de perto os desenvolvimentos da ZAM. A tecnologia pode oferecer vantagens competitivas significativas para quem adotá-la cedo, assumindo que ela cumpra suas especificações ambiciosas.
